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10,000 L/min抽速、0.5 Pa极限真空：荏原EV-M102N干式真空泵参数全解
更新时间：2026-07-30
点击次数：22
EV-M102N是日本荏原（EBARA）株式会社旗下EV-M系列多级罗茨型干式真空泵中的主力中抽速机型。荏原是全球真空系统与半导体制造设备领域的企业，其干式真空泵产品广泛应用于半导体、液晶显示器和太阳能电池等高制造工艺中。
EV-M系列是荏原为应对高负荷工艺而开发的跨世代干式真空泵，结合了业界的能源节省以及环境保护需求。该系列采用多级罗茨（Multi-stage Lobe）设计，在严苛制程的耐用度与节能之间取得了平衡。EV-M102N作为该系列的核心型号，抽气速率达10,000 L/min，专为半导体CVD、刻蚀、MOCVD等高流量轻气体排气应用而设计。
EV-M102N多级罗茨型干式真空泵的详细技术规格如下表所示：
| 参数项 | 规格/数值 | 说明 |
|---|---|---|
| 产品型号 | EV-M102N | EV-M系列多级罗茨干泵 |
| 抽气速率（Pumping Speed） | 10,000 L/min | 60Hz工况 |
| 极限压力（Ultimate Pressure） | 0.5 Pa | 高真空性能 |
| 进气口法兰（Gas Inlet） | ISO100 | 标准真空法兰 |
| 排气口法兰（Gas Outlet） | NW40 | — |
| 极限压力时功耗（Approx. Power at Ultimate Pressure） | 1.8 kW | 高效节能 |
| 最大功率（Max Power） | 4.1 kW | 峰值功耗 |
| 电源容量（Power Capacity） | 5.4 kVA | — |
| 电源规格 | 三相200V/50Hz 或 三相200-220V/60Hz | 可选400V机型 |
| 电路断路器 | 30 A（推荐40 A） | — |
| 冷却水流量（Cooling Water Flow Rate） | 3 ～ 8 L/min | 水冷冷却 |
| 冷却水温度 | ≤ 30 °C | — |
| 冷却水压力 | 供给：≤0.4 MPa（表压）；压差：≥0.1 MPa（表压） | — |
| 冷却水接口 | Rc 3/8耦合器 | — |
| 氮气流量（N₂ Flow Rate） | 26 ～ 31 Pa·m³/s | 密封吹扫 |
| 氮气供给压力 | 0.15 ～ 0.7 MPa（表压）；设定值：0.09 ～ 0.12 MPa（表压） | — |
| 氮气接口 | 1/4"卡套接头（Swagelok或等效） | — |
| 润滑油量 | 0.7 L | BARRIERTA J100ES（NOK） |
| 重量 | 约320 kg | |
| 外形尺寸（W×D×H） | 380 × 790 × 752 mm | |
| 控制信号接口 | D-sub 15Pin + D-sub 25Pin | — |
| 电源连接器 | JL04HV-2E22-22PE-B-R | 日本航空电子标准 |
EV-M102N采用多级罗茨（Multi-stage Lobe）设计，相比螺杆式真空泵具有更高的氢气抽速。这一设计使其在半导体CVD、MOCVD等需要大量氢气或轻气体排气的工艺中表现出色，能够实现更高的吞吐量和优化的工艺性能。
EV-M系列搭载了荏原有的耐高温技术（Heat-resistance Technology），专为半导体、液晶显示器和太阳能电池制造过程中产生大量反应副产物的高负荷工艺而设计。通过对泵体内部温度的精确优化控制，有效抑制了氯化铵、氟硅酸铵等升华性反应副产物的固化和沉积。同时，泵体标配坚固耐用的防腐蚀材料，进一步提升了在腐蚀性气体环境中的耐受能力。
EV-M102N在极限压力下的功耗仅为1.8 kW。泵体搭载智能控制系统，并配备怠速模式（Idle Mode），可在待机或低负载工况下进一步降低能耗。EV-M系列在提升耐工艺性能的同时，实现了显著的节能效果。
EV-M102N具备可变抽气效率功能，能够根据工艺需求动态调整排气性能。智能控制系统可精确管理泵的运行状态，配合点加热（At-Point Heating）功能，在关键区域提供精确的温度控制，满足多样化工艺的严苛要求。
EV-M102N外形尺寸为380×790×752 mm，重量约320 kg。紧凑的占地面积设计使其能够灵活集成到各类生产设备中，在保证排气性能的同时，有效节省洁净工厂的宝贵空间。
EV-M102N在半导体制造领域应用广泛，尤其适用于各类CVD工艺：
MOCVD（金属有机化学气相沉积） ：高流量轻气体排气的理想选择
PECVD（等离子体增强化学气相沉积） ：处理反应副产物生成量大的工艺
LPCVD（低压化学气相沉积） ：提供稳定的低压排气环境
ALD（原子层沉积） ：精确控制逐层沉积工艺的真空环境
HDP-CVD（高密度等离子体CVD） 与 SACVD（亚大气压CVD）
刻蚀工艺：处理腐蚀性排气
用于液晶面板制造过程中的各类成膜与刻蚀工艺的真空排气，应对大流量工艺气体和反应副产物。
适用于太阳能电池片生产中的各类真空工艺，包括薄膜沉积、扩散等环节。
EV-M102N还可应用于需要处理腐蚀性气体、反应副产物的大量生成的各类工业真空制程。
EV-M系列产品线丰富，可覆盖从1,800 L/min至110,000 L/min的广泛抽速范围。EV-M102N属于系列中由主泵与增压泵组合而成的中抽速机型。
| 型号 | 抽气速率（L/min） | 极限压力（Pa） | 进气口 | 极限压力时功耗（kW） |
|---|---|---|---|---|
| EV-M20N | 1,800 | 5.0 | NW40 | 1.2 |
| EV-M102N | 10,000 | 0.5 | ISO100 | 1.8 |
| EV-M202N | 20,000 | 0.5 | ISO100 | 1.9 |
| EV-M302N | 30,000 | 0.5 | ISO100 | 2.3 |
| EV-M502N | 50,000 | 0.5 | ISO160 | 2.1 |
| EV-M802N | 80,000 | 0.5 | ISO200 | 2.8 |
用户在选型时，应根据工艺所需的抽气速率、气体种类、副产物特性及工厂空间条件综合评估。对于H₂等轻气体排量较大的MOCVD等工艺，EV-M102N的10,000 L/min抽速和多级罗茨设计是理想选择。
日本荏原EV-M102N多级罗茨型干式真空泵凭借10,000 L/min的抽气速率、0.5 Pa的极限真空、1.8 kW的低功耗以及320 kg的紧凑设计，已成为半导体CVD/MOCVD、液晶显示器和太阳能电池等高负荷工艺中真空排气系统的核心设备。其多级罗茨设计带来的高H₂抽速、有耐高温技术对抗反应副产物沉积、智能控制系统与怠速模式实现的节能运行、以及标配耐腐蚀材料带来的工艺耐受性，共同构建了一套高效、可靠、节能的真空解决方案，为高制造行业的严苛真空工艺提供了坚实保障。
